IS61NVP102418-200B3I-TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | IS61NVP102418-200B3I-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS61NVP102418-200B3I-TR |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS61NVP102418-200B3I-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS61NVP102418-200B3I-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS61NVP102418-200B3I-TR, IS61NVP102418-200B3I-TR Datenblatt
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IS61NVP102418-200B3I-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 18Mb (1M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.1ns |
| Spannung - Versorgung | 2.375V ~ 2.625V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-TBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-TFBGA (13x15) |
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