IS61NVP51236-200B3I
Nur als Referenz
| Teilenummer | IS61NVP51236-200B3I |
| PNEDA Teilenummer | IS61NVP51236-200B3I |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.110 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS61NVP51236-200B3I Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS61NVP51236-200B3I |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS61NVP51236-200B3I, IS61NVP51236-200B3I Datenblatt
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IS61NVP51236-200B3I Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.1ns |
| Spannung - Versorgung | 2.375V ~ 2.625V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-TFBGA (13x15) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, QPI, DTR Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 800µs Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-WSON (6x5) |
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