IS61NVP51236-200B3-TR
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| Teilenummer | IS61NVP51236-200B3-TR |
| PNEDA Teilenummer | IS61NVP51236-200B3-TR |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.518 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS61NVP51236-200B3-TR Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS61NVP51236-200B3-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS61NVP51236-200B3-TR, IS61NVP51236-200B3-TR Datenblatt
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IS61NVP51236-200B3-TR Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.1ns |
| Spannung - Versorgung | 2.375V ~ 2.625V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-TBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-TFBGA (13x15) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-LFBGA Lieferantengerätepaket 90-WBGA (8x13) |
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