IS61QDB22M18-250M3
Nur als Referenz
| Teilenummer | IS61QDB22M18-250M3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IS61QDB22M18-250M3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 72 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 16 - Jan 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IS61QDB22M18-250M3 Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS61QDB22M18-250M3 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS61QDB22M18-250M3, IS61QDB22M18-250M3 Datenblatt
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IS61QDB22M18-250M3 Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, QUAD |
| Speichergröße | 36Mb (2M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 250MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 7.5ns |
| Spannung - Versorgung | 1.71V ~ 1.89V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-LFBGA (15x17) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-CDIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 24-CDIP |
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