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STGF10NC60KD

STGF10NC60KD

Nur als Referenz

Teilenummer STGF10NC60KD
PNEDA Teilenummer STGF10NC60KD
Beschreibung IGBT 600V 9A 25W TO220FP
Hersteller STMicroelectronics
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STGF10NC60KD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGF10NC60KD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGF10NC60KD, STGF10NC60KD Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 1.653,19 KB)
PDFSTGD10NC60KT4 Datenblatt Cover
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STGF10NC60KD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)9A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 5A
Leistung - max25W
Schaltenergie55µJ (on), 85µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/72ns
Testbedingung390V, 5A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)22ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220FP

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 5A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

56µJ (on), 78.5µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

43nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

400V, 5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

134.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

FGPF70N30TDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

49.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

FGA20S125P-SN00336

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

740µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

153nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/400ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

AOK50B65H1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

1.92mJ (on), 850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/141ns

Testbedingung

400V, 50A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

261ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/600ns

Testbedingung

480V, 20A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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