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AOK50B65H1

AOK50B65H1

Nur als Referenz

Teilenummer AOK50B65H1
PNEDA Teilenummer AOK50B65H1
Beschreibung IGBT 650V 50A TO-247
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 5.724
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 25 - Jan 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOK50B65H1 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOK50B65H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOK50B65H1, AOK50B65H1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 527,25 KB)
PDFAOK50B65H1 Datenblatt Cover
AOK50B65H1 Datenblatt Seite 2 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 3 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 4 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 5 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 6 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 7 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 8 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 9

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AOK50B65H1 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 50A
Leistung - max375W
Schaltenergie1.92mJ (on), 850µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge76nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.37ns/141ns
Testbedingung400V, 50A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)261ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STGW40NC60WD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

302µJ (on), 349µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/168ns

Testbedingung

390V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IKZ75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

Leistung - max

395W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

164nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/405ns

Testbedingung

400V, 15A, 22.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

STGWT30V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

383µJ (on), 233µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

163nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/189ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

FGL60N100DTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

176W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

IXSH40N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/110ns

Testbedingung

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

Kürzlich verkauft

AD9837BCPZ-RL

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LTC3642EMS8E-5#PBF

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IC REG BUCK 5V 50MA 8MSOP

D1213A-04TS-7

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Diodes Incorporated

TVS DIODE 3.3V 10V TSOT-26

SI4836DY-T1-E3

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MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

NDT452AP

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ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4

MMBZ5V6ALT1G

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ON Semiconductor

TVS DIODE 3V 8V SOT23-3

ST72F321BAR9T6

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STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64LQFP

MTP50P03HDLG

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ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB

219-2MSTR

219-2MSTR

CTS Electrocomponents

SWITCH SLIDE DIP SPST 100MA 20V

LTST-C190TGKT

LTST-C190TGKT

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LED GREEN CLEAR CHIP SMD

76SB08ST

76SB08ST

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SWITCH ROCKER DIP SPST 150MA 30V