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AOK50B65H1

AOK50B65H1

Nur als Referenz

Teilenummer AOK50B65H1
PNEDA Teilenummer AOK50B65H1
Beschreibung IGBT 650V 50A TO-247
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 5.724
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 11 - Apr 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOK50B65H1 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOK50B65H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOK50B65H1, AOK50B65H1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 527,25 KB)
PDFAOK50B65H1 Datenblatt Cover
AOK50B65H1 Datenblatt Seite 2 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 3 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 4 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 5 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 6 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 7 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 8 AOK50B65H1 Datenblatt Seite 9

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AOK50B65H1 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 50A
Leistung - max375W
Schaltenergie1.92mJ (on), 850µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge76nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.37ns/141ns
Testbedingung400V, 50A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)261ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 5A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

157nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/229ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

28A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 8.6A

Leistung - max

49W

Schaltenergie

320µJ (on), 1.93mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/540ns

Testbedingung

480V, 8.6A, 75Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

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Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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