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IXGH15N120BD1

IXGH15N120BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH15N120BD1
PNEDA Teilenummer IXGH15N120BD1
Beschreibung IGBT 1200V 30A 150W TO247AD
Hersteller IXYS
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IXGH15N120BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH15N120BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH15N120BD1, IXGH15N120BD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 120,82 KB)
PDFIXGH15N120BD1 Datenblatt Cover
IXGH15N120BD1 Datenblatt Seite 2

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IXGH15N120BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 15A
Leistung - max150W
Schaltenergie1.75mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge69nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/150ns
Testbedingung960V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Leistung - max

24W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

47W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/88ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NFM

Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 100A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.7mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/120ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

136µJ (on), 207µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

81nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24.5ns/118ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

103ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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