Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

APT15GT60BRDQ1G

APT15GT60BRDQ1G

Nur als Referenz

Teilenummer APT15GT60BRDQ1G
PNEDA Teilenummer APT15GT60BRDQ1G
Beschreibung IGBT 600V 42A 184W TO247
Hersteller Microsemi
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.966
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 18 - Jun 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT15GT60BRDQ1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT15GT60BRDQ1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • APT15GT60BRDQ1G Datasheet
  • where to find APT15GT60BRDQ1G
  • Microsemi

  • Microsemi APT15GT60BRDQ1G
  • APT15GT60BRDQ1G PDF Datasheet
  • APT15GT60BRDQ1G Stock

  • APT15GT60BRDQ1G Pinout
  • Datasheet APT15GT60BRDQ1G
  • APT15GT60BRDQ1G Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APT15GT60BRDQ1G Price
  • APT15GT60BRDQ1G Distributor

APT15GT60BRDQ1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieThunderbolt IGBT®
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)42A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 15A
Leistung - max184W
Schaltenergie150µJ (on), 215µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge75nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.6ns/105ns
Testbedingung400V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 [B]

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STGP19NC60S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 12A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

135µJ (on), 815µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

54.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17.5ns/175ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

IRG4BC20FD-S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

250µJ (on), 640µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/240ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

APT80GA60LD40

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

143A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

840µJ (on), 751µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/158ns

Testbedingung

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

IRG4PC40FPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

49A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 27A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

370µJ (on), 1.81mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/240ns

Testbedingung

480V, 27A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRGPS46160DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 120A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

5.75mJ (on), 3.43mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/190ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

Kürzlich verkauft

LTC3854EMSE#PBF

LTC3854EMSE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 12MSOP

VMMK-1218-TR1G

VMMK-1218-TR1G

Broadcom

FET RF 5V 10GHZ 0402

MAX3221EETE+

MAX3221EETE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16TQFN

CAT93C57XI

CAT93C57XI

ON Semiconductor

IC EEPROM 2K SPI 1MHZ 8SOIC

ADA4805-2ARMZ-R7

ADA4805-2ARMZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

SF-1206F700-2

SF-1206F700-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 7A 24VDC 1206

MAX17048G+T10

MAX17048G+T10

Maxim Integrated

IC FUEL GAUGE LI-ION 1CELL 8TDFN

7443556350

7443556350

Wurth Electronics

FIXED IND 3.5UH 22.5A 3.1 MOHM

S2B-13-F

S2B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB

1N4004GP-E3/54

1N4004GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

B3S-1102

B3S-1102

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

PX2AF1XX667PSAAM

PX2AF1XX667PSAAM

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HEAVY DUTY PRESSURE TRANSDUCER