IRGPS46160DPBF
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| Teilenummer | IRGPS46160DPBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IRGPS46160DPBF | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 240A 750W SUPER247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 77 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IRGPS46160DPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGPS46160DPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGPS46160DPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 240A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 360A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 120A |
| Leistung - max | 750W |
| Schaltenergie | 5.75mJ (on), 3.43mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 240nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 80ns/190ns |
| Testbedingung | 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 130ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | SUPER-247™ (TO-274AA) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 19A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 4A Leistung - max 50W Schaltenergie 131µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/237ns Testbedingung 400V, 4A, 67Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9.6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9.9A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max 62.5W Schaltenergie 290µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 22nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9.2ns/281ns Testbedingung 800V, 3A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A Leistung - max 214W Schaltenergie 760µJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/143ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/87ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max 272W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 203.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
