HGTG30N60B3D
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| Teilenummer | HGTG30N60B3D |
| PNEDA Teilenummer | HGTG30N60B3D |
| Beschreibung | IGBT 600V 60A 208W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.914 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG30N60B3D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG30N60B3D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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HGTG30N60B3D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 220A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 208W |
| Schaltenergie | 550µJ (on), 680µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 170nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 36ns/137ns |
| Testbedingung | 480V, 30A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 144A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 48A Leistung - max 325W Schaltenergie 1.7mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/140ns Testbedingung 400V, 48A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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