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IRGS10B60KDPBF

IRGS10B60KDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGS10B60KDPBF
PNEDA Teilenummer IRGS10B60KDPBF
Beschreibung IGBT 600V 22A 156W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.238
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRGS10B60KDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGS10B60KDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRGS10B60KDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)22A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)44A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 10A
Leistung - max156W
Schaltenergie140µJ (on), 250µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge38nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/230ns
Testbedingung400V, 10A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)90ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

2.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

RGCL80TS60GC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

Leistung - max

148W

Schaltenergie

1.11mJ (on), 1.68mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/227ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

RJH60A83RDPE-00#J3

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

230µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.7nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/54ns

Testbedingung

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-83

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

FGD3325G2-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

800ns/5.1µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/180ns

Testbedingung

960V, 35A, 5Ohm, 15V

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60ns

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