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IXSH24N60A

IXSH24N60A

Nur als Referenz

Teilenummer IXSH24N60A
PNEDA Teilenummer IXSH24N60A
Beschreibung IGBT 600V 48A 150W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.662
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXSH24N60A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSH24N60A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSH24N60A, IXSH24N60A Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 111,82 KB)
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IXSH24N60A Datenblatt Seite 2

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IXSH24N60A Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)48A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 24A
Leistung - max150W
Schaltenergie2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge75nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.100ns/450ns
Testbedingung480V, 24A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXSH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

350µJ (on), 340µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/192ns

Testbedingung

360V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

92A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

440A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

6.5mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/123ns

Testbedingung

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

420ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-PowerSMD, 21 Leads

Lieferantengerätepaket

24-SMPD

IRGPC40FD2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

49A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IXSH50N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

167nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/150ns

Testbedingung

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

APT64GA90LD30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

117A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

193A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1192µJ (on), 1088µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

162nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/131ns

Testbedingung

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

Kürzlich verkauft

B39162B4300F210

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Qualcomm

FILTER SAW 1.575GHZ 5SMD

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MCP1725T-3302E/MC

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IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

IPA60R360P7SXKSA1

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MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220

M25PX16-VMW6TG TR

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IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO

RB751V40T1G

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DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323

NAND256W3A2BN6E

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

AT28C16-15TC

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Microchip Technology

IC EEPROM 16K PARALLEL 28TSOP

MMBTA42LT3G

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ON Semiconductor

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

250S130-RADR

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Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 130MA 2SMD

IR2113STRPBF

IR2113STRPBF

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IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC