MMIX1Y100N120C3H1
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| Teilenummer | MMIX1Y100N120C3H1 |
| PNEDA Teilenummer | MMIX1Y100N120C3H1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 92A 400W SMPD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.150 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 3 - Dez 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MMIX1Y100N120C3H1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMIX1Y100N120C3H1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
MMIX1Y100N120C3H1, MMIX1Y100N120C3H1 Datenblatt
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MMIX1Y100N120C3H1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 92A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 440A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 100A |
| Leistung - max | 400W |
| Schaltenergie | 6.5mJ (on), 2.9mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 270nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 48ns/123ns |
| Testbedingung | 600V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 420ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 24-PowerSMD, 21 Leads |
| Lieferantengerätepaket | 24-SMPD |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A Leistung - max 200W Schaltenergie 270µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/68ns Testbedingung 400V, 15A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 64A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 15A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/400ns Testbedingung 600V, 15A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ 5 IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 125W Schaltenergie 560µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/160ns Testbedingung 400V, 20A, 32Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 190A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Leistung - max 625W Schaltenergie 465µJ (on), 637µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 165nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/83ns Testbedingung 400V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
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