Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MMIX1Y100N120C3H1

MMIX1Y100N120C3H1

Nur als Referenz

Teilenummer MMIX1Y100N120C3H1
PNEDA Teilenummer MMIX1Y100N120C3H1
Beschreibung IGBT 1200V 92A 400W SMPD
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.150
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMIX1Y100N120C3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMIX1Y100N120C3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
MMIX1Y100N120C3H1, MMIX1Y100N120C3H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 235,39 KB)
PDFMMIX1Y100N120C3H1 Datenblatt Cover
MMIX1Y100N120C3H1 Datenblatt Seite 2 MMIX1Y100N120C3H1 Datenblatt Seite 3 MMIX1Y100N120C3H1 Datenblatt Seite 4 MMIX1Y100N120C3H1 Datenblatt Seite 5 MMIX1Y100N120C3H1 Datenblatt Seite 6 MMIX1Y100N120C3H1 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • MMIX1Y100N120C3H1 Datasheet
  • where to find MMIX1Y100N120C3H1
  • IXYS

  • IXYS MMIX1Y100N120C3H1
  • MMIX1Y100N120C3H1 PDF Datasheet
  • MMIX1Y100N120C3H1 Stock

  • MMIX1Y100N120C3H1 Pinout
  • Datasheet MMIX1Y100N120C3H1
  • MMIX1Y100N120C3H1 Supplier

  • IXYS Distributor
  • MMIX1Y100N120C3H1 Price
  • MMIX1Y100N120C3H1 Distributor

MMIX1Y100N120C3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)92A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)440A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 100A
Leistung - max400W
Schaltenergie6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge270nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.48ns/123ns
Testbedingung600V, 100A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)420ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-PowerSMD, 21 Leads
Lieferantengerätepaket24-SMPD

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NGB8204NT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IKB30N65EH5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

870µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/159ns

Testbedingung

400V, 30A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

APT50GP60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

465µJ (on), 637µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/83ns

Testbedingung

400V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IKB20N65EH5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

560µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/160ns

Testbedingung

400V, 20A, 32Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

IRG4PSH71U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

99A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 70A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

4.77mJ (on), 9.54mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

51ns/280ns

Testbedingung

960V, 70A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

Kürzlich verkauft

UDZVTE-177.5B

UDZVTE-177.5B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 7.5V 200MW UMD2

IRLML2402TRPBF

IRLML2402TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23

FP3-R47-R

FP3-R47-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 470NH 10.9A 3.67 MOHM

T495D337K006ATE040

T495D337K006ATE040

KEMET

CAP TANT 330UF 10% 6.3V 2917

PIC18F65J15-I/PT

PIC18F65J15-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 40A TO252

L6201

L6201

STMicroelectronics

IC MOTOR DRIVER PAR 20SOIC

74279226101

74279226101

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 100 OHM 1812 1LN

BC817-16,215

BC817-16,215

Nexperia

TRANS NPN 45V 0.5A SOT23

1N5254B

1N5254B

ON Semiconductor

DIODE ZENER 27V 500MW DO35

ADP151AUJZ-1.8-R7

ADP151AUJZ-1.8-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 1.8V 200MA TSOT5

SMF05C.TCT

SMF05C.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 12.5V SC70-6