APT64GA90LD30
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| Teilenummer | APT64GA90LD30 |
| PNEDA Teilenummer | APT64GA90LD30 |
| Beschreibung | IGBT 900V 117A 500W TO-264 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.354 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT64GA90LD30 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT64GA90LD30 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT64GA90LD30 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 117A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 193A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 38A |
| Leistung - max | 500W |
| Schaltenergie | 1192µJ (on), 1088µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 162nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/131ns |
| Testbedingung | 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 310µJ (on), 3.28mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 76ns/815ns Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
