NGTG15N120FL2WG
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| Teilenummer | NGTG15N120FL2WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTG15N120FL2WG |
| Beschreibung | IGBT 1200V 15A TO-247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.816 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGTG15N120FL2WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTG15N120FL2WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
NGTG15N120FL2WG, NGTG15N120FL2WG Datenblatt
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NGTG15N120FL2WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 294W |
| Schaltenergie | 1.2mJ (on), 370µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 109nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 64ns/128ns |
| Testbedingung | 600V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX4™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 12A Leistung - max 160W Schaltenergie 440µJ (on), 220µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 34nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/158ns Testbedingung 400V, 12A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 43ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
