FGD3325G2-F085
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Teilenummer | FGD3325G2-F085 |
PNEDA Teilenummer | FGD3325G2-F085 |
Beschreibung | IGBT 300V DPAK |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.388 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGD3325G2-F085 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FGD3325G2-F085 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
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FGD3325G2-F085 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 250V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
Leistung - max | 150W |
Schaltenergie | - |
Eingabetyp | Logic |
Gate Charge | 21nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 800ns/5.1µs |
Testbedingung | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket | TO-252 |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 36A Leistung - max 300W Schaltenergie 950µJ (on), 840µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 113nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/270ns Testbedingung 400V, 36A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
IXYS Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 210A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 50A Leistung - max 290W Schaltenergie 3mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/133ns Testbedingung 600V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 195ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |