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FGD3325G2-F085

FGD3325G2-F085

Nur als Referenz

Teilenummer FGD3325G2-F085
PNEDA Teilenummer FGD3325G2-F085
Beschreibung IGBT 300V DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.388
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGD3325G2-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGD3325G2-F085
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGD3325G2-F085, FGD3325G2-F085 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 614,83 KB)
PDFFGD3325G2-F085 Datenblatt Cover
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FGD3325G2-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)250V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)41A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.25V @ 4V, 6A
Leistung - max150W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge21nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.800ns/5.1µs
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Leistung - max

58W

Schaltenergie

140µJ (on), 62µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/120ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

48ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

STGWT20V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

200µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/149ns

Testbedingung

400V, 20A, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 36A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

950µJ (on), 840µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

113nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/270ns

Testbedingung

400V, 36A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

210A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 50A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

3mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/133ns

Testbedingung

600V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

195ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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