HGTG18N120BND
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| Teilenummer | HGTG18N120BND |
| PNEDA Teilenummer | HGTG18N120BND |
| Beschreibung | IGBT 1200V 54A 390W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.692 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG18N120BND Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG18N120BND |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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HGTG18N120BND Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 54A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 18A |
| Leistung - max | 390W |
| Schaltenergie | 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 165nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/170ns |
| Testbedingung | 960V, 18A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 600A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 100A Leistung - max 400W Schaltenergie 1.6mJ (on), 2.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 750nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/310ns Testbedingung 300V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS264™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS264™ |
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