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IXXH50N60C3

IXXH50N60C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXXH50N60C3
PNEDA Teilenummer IXXH50N60C3
Beschreibung IGBT 600V 100A 600W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.402
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXXH50N60C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXH50N60C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXH50N60C3, IXXH50N60C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 173,4 KB)
PDFIXXH50N60C3 Datenblatt Cover
IXXH50N60C3 Datenblatt Seite 2 IXXH50N60C3 Datenblatt Seite 3 IXXH50N60C3 Datenblatt Seite 4 IXXH50N60C3 Datenblatt Seite 5 IXXH50N60C3 Datenblatt Seite 6

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IXXH50N60C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 36A
Leistung - max600W
Schaltenergie720µJ (on), 330µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge64nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.24ns/62ns
Testbedingung360V, 36A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXXH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

Leistung - max

138W

Schaltenergie

1.46mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/520ns

Testbedingung

610V, 10A, 81Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

IRG4PH50UDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/110ns

Testbedingung

800V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

Leistung - max

416W

Schaltenergie

1.96mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

179nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/310ns

Testbedingung

400V, 50A, 6.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

NGTB25N120IHLWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/235ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

460A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

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Gate Charge

168nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/150ns

Testbedingung

400V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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