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FGPF70N30TDTU

FGPF70N30TDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGPF70N30TDTU
PNEDA Teilenummer FGPF70N30TDTU
Beschreibung IGBT 300V 49.2W TO220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.190
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGPF70N30TDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGPF70N30TDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGPF70N30TDTU, FGPF70N30TDTU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 692,47 KB)
PDFFGPF70N30TDTU Datenblatt Cover
FGPF70N30TDTU Datenblatt Seite 2 FGPF70N30TDTU Datenblatt Seite 3 FGPF70N30TDTU Datenblatt Seite 4 FGPF70N30TDTU Datenblatt Seite 5 FGPF70N30TDTU Datenblatt Seite 6 FGPF70N30TDTU Datenblatt Seite 7 FGPF70N30TDTU Datenblatt Seite 8 FGPF70N30TDTU Datenblatt Seite 9

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FGPF70N30TDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 20A
Leistung - max49.2W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge125nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)21ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 55A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/150ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

IRG8P75N65UD1-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IKY40N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.18mJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/280ns

Testbedingung

600V, 40A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

STGW19NC60H

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

85µJ (on), 189µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/97ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

410µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/60ns

Testbedingung

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

SP3232ECN-L

SP3232ECN-L

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

JAN1N5811

JAN1N5811

Microsemi

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

TSL2550T

TSL2550T

ams

SENSOR OPT 640NM AMBIENT 4SMD

SMCJ24CAHE3/57T

SMCJ24CAHE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB

MP24833GN-Z

MP24833GN-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC LED DRIVER

PIC18F2550-I/SO

PIC18F2550-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28SOIC

PIC18F46K20-I/PT

PIC18F46K20-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

MAX3094EEUE+

MAX3094EEUE+

Maxim Integrated

IC RECEIVER 0/4 16TSSOP

SII1161CTU

SII1161CTU

Lattice Semiconductor Corporation

UXGA PANELLINK RECEIVER

AOD413

AOD413

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 40V 24A TO252

SMCJ5.0CA

SMCJ5.0CA

TVS DIODE 5V 9.2V DO214AB

BR24T16F-WE2

BR24T16F-WE2

Rohm Semiconductor

IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SOP