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AUIRGP4062D1

AUIRGP4062D1

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRGP4062D1
PNEDA Teilenummer AUIRGP4062D1
Beschreibung IGBT 600V 55A 217W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.528
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AUIRGP4062D1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRGP4062D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AUIRGP4062D1, AUIRGP4062D1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 415,72 KB)
PDFAUIRGP4062D1-E Datenblatt Cover
AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 2 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 3 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 4 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 5 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 6 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 7 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 8 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 9 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 10 AUIRGP4062D1-E Datenblatt Seite 11

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AUIRGP4062D1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)55A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)72A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.77V @ 15V, 24A
Leistung - max217W
Schaltenergie532µJ (on), 311µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge77nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/90ns
Testbedingung400V, 24A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)102ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/130ns

Testbedingung

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

20.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

IGP50N60TXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

2.6mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/299ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

APT64GA90B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

117A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

193A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1857µJ (on), 2311µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

162nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/131ns

Testbedingung

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

FGS15N40LTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4V, 130A

Leistung - max

2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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8-SOIC

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