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IXGH20N60

IXGH20N60

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH20N60
PNEDA Teilenummer IXGH20N60
Beschreibung IGBT 600V 40A 150W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.812
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IXGH20N60 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH20N60
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH20N60, IXGH20N60 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 64,36 KB)
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IXGH20N60A Datenblatt Seite 2

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IXGH20N60 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max150W
Schaltenergie1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.100ns/600ns
Testbedingung480V, 20A, 82Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/850ns

Testbedingung

800V, 12A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4BC20U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

100µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/86ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGAF40N60UFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

470µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/65ns

Testbedingung

300V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

IHD10N60RA

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 10A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

270µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/170ns

Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

420A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

2.15mJ (on), 840µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

164nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/106ns

Testbedingung

400V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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