IXYH100N65C3
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| Teilenummer | IXYH100N65C3 |
| PNEDA Teilenummer | IXYH100N65C3 |
| Beschreibung | IGBT 650V 200A 830W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.724 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXYH100N65C3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYH100N65C3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYH100N65C3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 420A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 70A |
| Leistung - max | 830W |
| Schaltenergie | 2.15mJ (on), 840µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 164nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 28ns/106ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXYH) |
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