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IXYH100N65C3

IXYH100N65C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH100N65C3
PNEDA Teilenummer IXYH100N65C3
Beschreibung IGBT 650V 200A 830W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.724
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IXYH100N65C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH100N65C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH100N65C3, IXYH100N65C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 225,35 KB)
PDFIXYH100N65C3 Datenblatt Cover
IXYH100N65C3 Datenblatt Seite 2 IXYH100N65C3 Datenblatt Seite 3 IXYH100N65C3 Datenblatt Seite 4 IXYH100N65C3 Datenblatt Seite 5 IXYH100N65C3 Datenblatt Seite 6

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IXYH100N65C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)420A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 70A
Leistung - max830W
Schaltenergie2.15mJ (on), 840µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge164nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/106ns
Testbedingung400V, 50A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/104ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

94A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Leistung - max

379W

Schaltenergie

2.315mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/300ns

Testbedingung

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

-

IRG8CH15K10D

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IKP30N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

280µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/170ns

Testbedingung

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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IRG4PH40UPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

82A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 21A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

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Gate Charge

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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