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NGTB50N60FWG

NGTB50N60FWG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB50N60FWG
PNEDA Teilenummer NGTB50N60FWG
Beschreibung IGBT 600V 100A 223W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.382
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NGTB50N60FWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB50N60FWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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NGTB50N60FWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 50A
Leistung - max223W
Schaltenergie1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge310nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.117ns/285ns
Testbedingung400V, 50A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)77ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

1.35mJ (on), 309µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20.8ns/62.4ns

Testbedingung

400V, 50A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31.8ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

Leistung - max

416W

Schaltenergie

1.96mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

179nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/310ns

Testbedingung

400V, 50A, 6.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/69ns

Testbedingung

400V, 4A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

600µJ (on), 5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

700ns/1.2µs

Testbedingung

480V, 10A, 1kOhm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/108ns

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400V, 20A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

166ns

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