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FGAF40N60UFTU

FGAF40N60UFTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGAF40N60UFTU
PNEDA Teilenummer FGAF40N60UFTU
Beschreibung IGBT 600V 40A 100W TO3PF
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.868
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGAF40N60UFTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGAF40N60UFTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGAF40N60UFTU, FGAF40N60UFTU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 405,49 KB)
PDFFGAF40N60UFTU Datenblatt Cover
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FGAF40N60UFTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 20A
Leistung - max100W
Schaltenergie470µJ (on), 130µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge77nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/65ns
Testbedingung300V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-3PF

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

118A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

1mJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

44nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/75ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

STGW28IH125DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

114nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/128ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT150GN60LDQ4G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 150A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

8.81mJ (on), 4.295mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

970nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/430ns

Testbedingung

400V, 150A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

RJH60M3DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 17A

Leistung - max

39.7W

Schaltenergie

290µJ (on), 290µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

60nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/90ns

Testbedingung

300V, 17A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FL

FGPF30N30TDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

44.6W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/130ns

Testbedingung

200V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Kürzlich verkauft

MCP23S17T-E/SO

MCP23S17T-E/SO

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER SPI 16B 28SOIC

LM2596DSADJR4G

LM2596DSADJR4G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 3A D2PAK-5

EA DOGS102B-6

EA DOGS102B-6

Display Visions

LCD MOD GRAPH 102X64 BLUE

AD5934YRSZ

AD5934YRSZ

Analog Devices

IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

WSL1206R0500FEA

WSL1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

IHLP1616BZERR47M11

IHLP1616BZERR47M11

Vishay Dale

FIXED IND 470NH 7A 16 MOHM SMD

ISL21080CIH333Z-TK

ISL21080CIH333Z-TK

Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 3.3V SOT23-3

WSL2512R0250FEA

WSL2512R0250FEA

Vishay Dale

RES 0.025 OHM 1% 1W 2512

M93C46-WBN6

M93C46-WBN6

STMicroelectronics

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8DIP

IS42S16160G-7BLI-TR

IS42S16160G-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

CY2305CSXI-1H

CY2305CSXI-1H

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 5OUT 133MHZ 8SOIC

AQY272A

AQY272A

Panasonic Electric Works

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V