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STGB19NC60KT4

STGB19NC60KT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGB19NC60KT4
PNEDA Teilenummer STGB19NC60KT4
Beschreibung IGBT 600V 35A 125W D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGB19NC60KT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB19NC60KT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB19NC60KT4, STGB19NC60KT4 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 534 KB)
PDFSTGB19NC60KT4 Datenblatt Cover
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STGB19NC60KT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.75V @ 15V, 12A
Leistung - max125W
Schaltenergie165µJ (on), 255µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge55nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/105ns
Testbedingung480V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

112A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.15mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

141nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/250ns

Testbedingung

400V, 30A, 11Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

125ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

556W

Schaltenergie

4.6mJ (on), 3.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

440nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/430ns

Testbedingung

600V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247AD

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 16A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

920µJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/150ns

Testbedingung

600V, 16A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

FGH50T65UPD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Leistung - max

340W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 740µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/160ns

Testbedingung

400V, 50A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

NGTB50N65FL2WAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

420µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

215nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/123ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

94ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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