STGB19NC60KT4
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| Teilenummer | STGB19NC60KT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGB19NC60KT4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 35A 125W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.188 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB19NC60KT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB19NC60KT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB19NC60KT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 125W |
| Schaltenergie | 165µJ (on), 255µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 55nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/105ns |
| Testbedingung | 480V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 240A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 630A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 110A Leistung - max 880W Schaltenergie 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 183nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/156ns Testbedingung 400V, 55A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 24A Leistung - max 80W Schaltenergie 240µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/75ns Testbedingung 480V, 24A, 18Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 454W Schaltenergie 4.24mJ (on), 2.17mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/200ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 240ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 16A Leistung - max 180W Schaltenergie 920µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/150ns Testbedingung 600V, 16A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
