APT95GR65JDU60
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| Teilenummer | APT95GR65JDU60 |
| PNEDA Teilenummer | APT95GR65JDU60 |
| Beschreibung | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.896 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APT95GR65JDU60 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT95GR65JDU60 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT95GR65JDU60 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 135A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 380A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 95A |
| Leistung - max | 446W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 420nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 29ns/226ns |
| Testbedingung | 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 320µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/110ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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