APT95GR65JDU60
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| Teilenummer | APT95GR65JDU60 |
| PNEDA Teilenummer | APT95GR65JDU60 |
| Beschreibung | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.896 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APT95GR65JDU60 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT95GR65JDU60 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT95GR65JDU60 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 135A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 380A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 95A |
| Leistung - max | 446W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 420nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 29ns/226ns |
| Testbedingung | 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 150W Schaltenergie 160µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/75ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 76A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 35A Leistung - max 268W Schaltenergie 390µJ (on), 632µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 104nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/105ns Testbedingung 400V, 35A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 410A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 1100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A Leistung - max 1560W Schaltenergie 5mJ (on), 4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/370ns Testbedingung 400V, 100A, 0Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 108ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 42A Leistung - max 223W Schaltenergie 120µJ (on), 150µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/113ns Testbedingung 200V, 21A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.15mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 141nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/250ns Testbedingung 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 125ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
