Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Nur als Referenz

Teilenummer APT95GR65JDU60
PNEDA Teilenummer APT95GR65JDU60
Beschreibung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Hersteller Microsemi
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.896
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 15 - Feb 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT95GR65JDU60 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT95GR65JDU60
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • APT95GR65JDU60 Datasheet
  • where to find APT95GR65JDU60
  • Microsemi

  • Microsemi APT95GR65JDU60
  • APT95GR65JDU60 PDF Datasheet
  • APT95GR65JDU60 Stock

  • APT95GR65JDU60 Pinout
  • Datasheet APT95GR65JDU60
  • APT95GR65JDU60 Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APT95GR65JDU60 Price
  • APT95GR65JDU60 Distributor

APT95GR65JDU60 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)135A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)380A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 95A
Leistung - max446W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge420nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.29ns/226ns
Testbedingung433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STGF6NC60HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

20W

Schaltenergie

20µJ (on), 68µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/76ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

410A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Leistung - max

1560W

Schaltenergie

5mJ (on), 4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/370ns

Testbedingung

400V, 100A, 0Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

108ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

IHW30N100R

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

412W

Schaltenergie

2.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

209nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/846ns

Testbedingung

600V, 30A, 26Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

STGW80H65FB-4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

414nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/280ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

IXBH9N160G

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 5A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

960V, 5A, 27Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

Kürzlich verkauft

SMBJ15CA

SMBJ15CA

Microsemi

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

S34ML01G200TFI000

S34ML01G200TFI000

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

HCPL-060L-000E

HCPL-060L-000E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV OPN COLLECTOR 8SO

SCT30N120

SCT30N120

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

IXFX180N10

IXFX180N10

IXYS

MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247

NTGS5120PT1G

NTGS5120PT1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP

BAT46WJ,115

BAT46WJ,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD323

SHT11

SHT11

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 5V DTL 3% SMD

X9C503SIZT1

X9C503SIZT1

Renesas Electronics America Inc.

IC DGTL POT 50KOHM 100TAP 8SOIC

ADM3251EARWZ

ADM3251EARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH RS232 20SOIC

CKP25202R2M-T

CKP25202R2M-T

Taiyo Yuden

FIXED IND 2.2UH 400MA 90 MOHM

MT41J128M16JT-093:K

MT41J128M16JT-093:K

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA