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IXGA16N60C2

IXGA16N60C2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGA16N60C2
PNEDA Teilenummer IXGA16N60C2
Beschreibung IGBT 600V 40A 150W TO263
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.832
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 3 - Dez 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGA16N60C2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGA16N60C2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGA16N60C2, IXGA16N60C2 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 199,91 KB)
PDFIXGP16N60C2 Datenblatt Cover
IXGP16N60C2 Datenblatt Seite 2 IXGP16N60C2 Datenblatt Seite 3 IXGP16N60C2 Datenblatt Seite 4 IXGP16N60C2 Datenblatt Seite 5 IXGP16N60C2 Datenblatt Seite 6

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IXGA16N60C2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 12A
Leistung - max150W
Schaltenergie160µJ (on), 90µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge25nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/75ns
Testbedingung400V, 12A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (IXGA)

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGIB4615DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

145µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

NGTB40N60L2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.61V @ 15V, 40A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

1.17mJ (on), 280µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

228nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

98ns/213ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

73ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGC4062B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/290ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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