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IXYK200N65B3

IXYK200N65B3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYK200N65B3
PNEDA Teilenummer IXYK200N65B3
Beschreibung IGBT
Hersteller IXYS
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXYK200N65B3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYK200N65B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXYK200N65B3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™, GenX3™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)410A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)1100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 100A
Leistung - max1560W
Schaltenergie5mJ (on), 4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge340nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/370ns
Testbedingung400V, 100A, 0Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)108ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

961W

Schaltenergie

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

544nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/278ns

Testbedingung

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

86A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/177ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

NGTB25N120SWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

385W

Schaltenergie

1.95mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

178nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

87ns/179ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

154ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/110ns

Testbedingung

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

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Hersteller

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

65A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

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Eingabetyp

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Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 15A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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