IXYK200N65B3
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| Teilenummer | IXYK200N65B3 |
| PNEDA Teilenummer | IXYK200N65B3 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.292 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXYK200N65B3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYK200N65B3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXYK200N65B3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX3™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 410A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 1100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 100A |
| Leistung - max | 1560W |
| Schaltenergie | 5mJ (on), 4mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 340nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 60ns/370ns |
| Testbedingung | 400V, 100A, 0Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 108ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 86A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 40A Leistung - max 480W Schaltenergie 2.7mJ (on), 1.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/177ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 10A Leistung - max 163W Schaltenergie 260µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 17.4nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/72ns Testbedingung 400V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 105ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 70A Leistung - max 961W Schaltenergie 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 544nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/278ns Testbedingung 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
