STGB19NC60KT4 Datenblatt
STGB19NC60KT4 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STGB19NC60KT4
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 12A Leistung - max 125W Schaltenergie 165µJ (on), 255µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/105ns Testbedingung 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |