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IXYH16N250C

IXYH16N250C

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH16N250C
PNEDA Teilenummer IXYH16N250C
Beschreibung IGBT 2500V 35A TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.454
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IXYH16N250C Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH16N250C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH16N250C, IXYH16N250C Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 203,51 KB)
PDFIXYH16N250C Datenblatt Cover
IXYH16N250C Datenblatt Seite 2 IXYH16N250C Datenblatt Seite 3 IXYH16N250C Datenblatt Seite 4 IXYH16N250C Datenblatt Seite 5 IXYH16N250C Datenblatt Seite 6

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IXYH16N250C Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)126A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 16A
Leistung - max500W
Schaltenergie4.75mJ (on), 3.9mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge97nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14ns/260ns
Testbedingung1250V, 16A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)19ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

420V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

650ns/13.5µs

Testbedingung

300V, 10A, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DPAK

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 21A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

10.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/270ns

Testbedingung

1360V, 21A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

230ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

230µJ (on), 1.18mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/200ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 35A

Leistung - max

308W

Schaltenergie

220µJ (on), 215µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/110ns

Testbedingung

390V, 22A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

425V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

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Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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-

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