STGD4M65DF2
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Teilenummer | STGD4M65DF2 |
PNEDA Teilenummer | STGD4M65DF2 |
Beschreibung | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 46.530 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGD4M65DF2 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STGD4M65DF2 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
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STGD4M65DF2 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | M |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 16A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Leistung - max | 68W |
Schaltenergie | 40µJ (on), 136µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 15.2nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/86ns |
Testbedingung | 400V, 4A, 47Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 133ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket | DPAK |
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