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IXGR32N170H1

IXGR32N170H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR32N170H1
PNEDA Teilenummer IXGR32N170H1
Beschreibung IGBT 1700V 38A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.506
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IXGR32N170H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR32N170H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR32N170H1, IXGR32N170H1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 635,58 KB)
PDFIXGR32N170H1 Datenblatt Cover
IXGR32N170H1 Datenblatt Seite 2

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IXGR32N170H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)38A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 21A
Leistung - max200W
Schaltenergie10.6mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge155nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.45ns/270ns
Testbedingung1360V, 21A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)230ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

100µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/86ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AB

RJH65D27BDPQ-A0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 50A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

175nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/165ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

RJH60A83RDPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

230µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.7nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/54ns

Testbedingung

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IRG4RC10KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

250µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

49ns/97ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 130A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

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Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

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