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IRG4RC10KDPBF

IRG4RC10KDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4RC10KDPBF
PNEDA Teilenummer IRG4RC10KDPBF
Beschreibung IGBT 600V 9A 38W DPAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.586
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4RC10KDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4RC10KDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4RC10KDPBF, IRG4RC10KDPBF Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 321,71 KB)
PDFIRG4RC10KDPBF Datenblatt Cover
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IRG4RC10KDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)9A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.62V @ 15V, 5A
Leistung - max38W
Schaltenergie250µJ (on), 140µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.49ns/97ns
Testbedingung480V, 5A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)28ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketD-Pak

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

66W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/120ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

460W

Schaltenergie

2mJ (on), 630µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

196nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/123ns

Testbedingung

600V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

670µJ (on), 740µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/100ns

Testbedingung

360V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

IRG7CH73UEF-R

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

540nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

90ns/580ns

Testbedingung

600V, 75A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

400µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/143ns

Testbedingung

360V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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