IGZ100N65H5XKSA1
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| Teilenummer | IGZ100N65H5XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGZ100N65H5XKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 100A SGL TO-247-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.812 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IGZ100N65H5XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGZ100N65H5XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IGZ100N65H5XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ 5 |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 161A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 400A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Leistung - max | 536W |
| Schaltenergie | 850µJ (on), 770µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/421ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 8Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max 63W Schaltenergie 130µJ (on), 83µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/100ns Testbedingung 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 17A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 57.5A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 11.5A Leistung - max 45W Schaltenergie 230µJ (on), 110µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/117ns Testbedingung 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 69ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Full Pack |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Leistung - max 375W Schaltenergie 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 385nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/166ns Testbedingung 400V, 75A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
