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IGZ100N65H5XKSA1

IGZ100N65H5XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGZ100N65H5XKSA1
PNEDA Teilenummer IGZ100N65H5XKSA1
Beschreibung IGBT 650V 100A SGL TO-247-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.812
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IGZ100N65H5XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGZ100N65H5XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGZ100N65H5XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™ 5
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)161A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)400A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
Leistung - max536W
Schaltenergie850µJ (on), 770µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/421ns
Testbedingung400V, 50A, 8Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-4
LieferantengerätepaketPG-TO247-4

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

174W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/88ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

STGD3HF60HDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

19µJ (on), 12µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/60ns

Testbedingung

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

IRG4PC30WPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

130µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/99ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRGB4B60KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

130µJ (on), 83µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

535W

Schaltenergie

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

313nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

116ns/286ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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