Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXGK35N120BD1

IXGK35N120BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGK35N120BD1
PNEDA Teilenummer IXGK35N120BD1
Beschreibung IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.274
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 15 - Feb 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGK35N120BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGK35N120BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGK35N120BD1, IXGK35N120BD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 41,96 KB)
PDFIXGX35N120BD1 Datenblatt Cover
IXGX35N120BD1 Datenblatt Seite 2

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXGK35N120BD1 Datasheet
  • where to find IXGK35N120BD1
  • IXYS

  • IXYS IXGK35N120BD1
  • IXGK35N120BD1 PDF Datasheet
  • IXGK35N120BD1 Stock

  • IXGK35N120BD1 Pinout
  • Datasheet IXGK35N120BD1
  • IXGK35N120BD1 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXGK35N120BD1 Price
  • IXGK35N120BD1 Distributor

IXGK35N120BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 35A
Leistung - max350W
Schaltenergie3.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/180ns
Testbedingung960V, 35A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXGK)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264AA(IXSK)

IGW40N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

360µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

92nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/149ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

APT100GT60B2RG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

148A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

3.25mJ (on), 3.125mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

460nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/320ns

Testbedingung

400V, 100A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

282W

Schaltenergie

840µJ (on), 220µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/417ns

Testbedingung

400V, 25A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IXGR32N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/85ns

Testbedingung

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Kürzlich verkauft

TLMG3100-GS08

TLMG3100-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED GREEN CLEAR 2PLCC SMD

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323

SSCMRRN100MGAF5

SSCMRRN100MGAF5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRES .1BAR GAUG 5V SMD

LT8609SEV#PBF

LT8609SEV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 16LQFN

S34ML01G200TFI000

S34ML01G200TFI000

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

STW20NK50Z

STW20NK50Z

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 500V 17A TO-247

DR73-1R0-R

DR73-1R0-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 1UH 5.28A 10.2 MOHM

N25Q064A13ESE40E

N25Q064A13ESE40E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

1N4148-P-TR

1N4148-P-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 75V 2A DO35

AS5304B-ATST

AS5304B-ATST

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC 1280PPR

MAX232EJE

MAX232EJE

Maxim Integrated

MULTICHANNEL RS-232 DRIVERS/RECE

STPS1H100A

STPS1H100A

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA