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IXGK35N120BD1

IXGK35N120BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGK35N120BD1
PNEDA Teilenummer IXGK35N120BD1
Beschreibung IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.274
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IXGK35N120BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGK35N120BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGK35N120BD1, IXGK35N120BD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 41,96 KB)
PDFIXGX35N120BD1 Datenblatt Cover
IXGX35N120BD1 Datenblatt Seite 2

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IXGK35N120BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 35A
Leistung - max350W
Schaltenergie3.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/180ns
Testbedingung960V, 35A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXGK)

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Hersteller

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

148A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

3.25mJ (on), 3.125mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

460nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/320ns

Testbedingung

400V, 100A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX4™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

440A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 75A

Leistung - max

1150W

Schaltenergie

4.5mJ (on), 2.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

157nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/182ns

Testbedingung

600V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

66ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

STGWA35HF60WDI

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

185µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/175ns

Testbedingung

390V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

APT150GN60B2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 150A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

8.81mJ (on), 4.295mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

970nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/430ns

Testbedingung

400V, 150A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed 2™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

830W

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1.7mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/120ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

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