IXYH75N120B4
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| Teilenummer | IXYH75N120B4 |
| PNEDA Teilenummer | IXYH75N120B4 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.012 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXYH75N120B4 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYH75N120B4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYH75N120B4 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX4™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 240A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 440A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 1150W |
| Schaltenergie | 4.5mJ (on), 2.7mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 157nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/182ns |
| Testbedingung | 600V, 50A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 66ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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