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APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Nur als Referenz

Teilenummer APT100GT60B2RG
PNEDA Teilenummer APT100GT60B2RG
Beschreibung IGBT 600V 148A 500W SOT247
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.500
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APT100GT60B2RG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT100GT60B2RG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT100GT60B2RG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieThunderbolt IGBT®
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)148A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 100A
Leistung - max500W
Schaltenergie3.25mJ (on), 3.125mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge460nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/320ns
Testbedingung400V, 100A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

167nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/150ns

Testbedingung

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 6A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/105ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

4.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 20A, 68Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

124A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/230ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

46W

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-

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Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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