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APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Nur als Referenz

Teilenummer APT100GT60B2RG
PNEDA Teilenummer APT100GT60B2RG
Beschreibung IGBT 600V 148A 500W SOT247
Hersteller Microsemi
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APT100GT60B2RG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT100GT60B2RG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT100GT60B2RG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieThunderbolt IGBT®
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)148A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 100A
Leistung - max500W
Schaltenergie3.25mJ (on), 3.125mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge460nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/320ns
Testbedingung400V, 100A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

210W

Schaltenergie

1.06mJ (on), 620µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/160ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

10mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/400ns

Testbedingung

960V, 35A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

2mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

122nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/93ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1.16mJ (on), 900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

369nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/492ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

AIHD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 6A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/105ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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