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IRG7PH35UPBF

IRG7PH35UPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG7PH35UPBF
PNEDA Teilenummer IRG7PH35UPBF
Beschreibung IGBT 1200V 55A 210W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.154
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Voraussichtliche Lieferung Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRG7PH35UPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG7PH35UPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG7PH35UPBF, IRG7PH35UPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 374,37 KB)
PDFIRG7PH35U-EP Datenblatt Cover
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IRG7PH35UPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)55A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 20A
Leistung - max210W
Schaltenergie1.06mJ (on), 620µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge85nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/160ns
Testbedingung600V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGW25S120DF3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

830µJ (on), 2.37mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/147ns

Testbedingung

600V, 25A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

265ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

FGH40N60SFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.13mJ (on), 310µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/115ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

FGA50N100BNTD2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

156W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

257nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/243ns

Testbedingung

600V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

APT100GT60B2RG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

148A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

3.25mJ (on), 3.125mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

460nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/320ns

Testbedingung

400V, 100A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

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