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FGY60T120SQDN

FGY60T120SQDN

Nur als Referenz

Teilenummer FGY60T120SQDN
PNEDA Teilenummer FGY60T120SQDN
Beschreibung IGBT 1200V 60A UFS
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 10.512
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGY60T120SQDN Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGY60T120SQDN
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGY60T120SQDN, FGY60T120SQDN Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 569,99 KB)
PDFFGY60T120SQDN Datenblatt Cover
FGY60T120SQDN Datenblatt Seite 2 FGY60T120SQDN Datenblatt Seite 3 FGY60T120SQDN Datenblatt Seite 4 FGY60T120SQDN Datenblatt Seite 5 FGY60T120SQDN Datenblatt Seite 6 FGY60T120SQDN Datenblatt Seite 7 FGY60T120SQDN Datenblatt Seite 8 FGY60T120SQDN Datenblatt Seite 9

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FGY60T120SQDN Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 60A
Leistung - max517W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge311nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.52ns/296ns
Testbedingung600V, 60A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

310W

Schaltenergie

3.56mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

56nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/167ns

Testbedingung

1250V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

16ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRGP4050

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

104A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

208A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

45µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/120ns

Testbedingung

180V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

APT40GR120B2D30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

88A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1.38mJ (on), 906µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/163ns

Testbedingung

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG4IBC30FD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20.3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/230ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

RJH60F3DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 20A

Leistung - max

178.5W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/65ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

Kürzlich verkauft

74HC74A

74HC74A

MICROSS/On Semiconductor

IC FF D-TYPE DUAL DIE

MAX3491ESD

MAX3491ESD

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

ARF444

ARF444

Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

NL453232T-3R3J-PF

NL453232T-3R3J-PF

TDK

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

NM93CS46M8

NM93CS46M8

ON Semiconductor

IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8SO

MAX4162ESA+

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Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC

L298P

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IC BRIDGE DRIVER PAR 20POWERSO

TOP224PN

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IC OFFLINE SWIT PWM OCP HV 8DIP

MPXM2010GS

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SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK

AD9850BRSZ

AD9850BRSZ

Analog Devices

IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP