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FGA30N120FTDTU

FGA30N120FTDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGA30N120FTDTU
PNEDA Teilenummer FGA30N120FTDTU
Beschreibung IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.252
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FGA30N120FTDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA30N120FTDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA30N120FTDTU, FGA30N120FTDTU Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 528,68 KB)
PDFFGA30N120FTDTU Datenblatt Cover
FGA30N120FTDTU Datenblatt Seite 2 FGA30N120FTDTU Datenblatt Seite 3 FGA30N120FTDTU Datenblatt Seite 4 FGA30N120FTDTU Datenblatt Seite 5 FGA30N120FTDTU Datenblatt Seite 6 FGA30N120FTDTU Datenblatt Seite 7 FGA30N120FTDTU Datenblatt Seite 8 FGA30N120FTDTU Datenblatt Seite 9 FGA30N120FTDTU Datenblatt Seite 10 FGA30N120FTDTU Datenblatt Seite 11

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FGA30N120FTDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
Leistung - max339W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge208nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)730ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 40A

Leistung - max

577W

Schaltenergie

11.7mJ (on), 6.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/200ns

Testbedingung

1250V, 40A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

210ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

STGP10H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 10A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

83µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.5ns/103ns

Testbedingung

400V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

107ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

IXGT32N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/85ns

Testbedingung

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.52V @ 15V, 3A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

52µJ (on), 30µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

1.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

5.5ns/22ns

Testbedingung

400V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

STGW35NB60S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

840µJ (on), 7.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

83nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

92ns/1.1µs

Testbedingung

480V, 20A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

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DFLS1200-7

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DIODE SCHOTTKY 200V POWERDI123

4608X-101-332LF

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744770122

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FIXED IND 22UH 4.1A 43 MOHM SMD

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B3S-1002

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