FGH60T65SHD-F155
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| Teilenummer | FGH60T65SHD-F155 |
| PNEDA Teilenummer | FGH60T65SHD-F155 |
| Beschreibung | IGBT 650V 120A 349W TO-247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.560 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH60T65SHD-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH60T65SHD-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH60T65SHD-F155, FGH60T65SHD-F155 Datenblatt
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FGH60T65SHD-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 349W |
| Schaltenergie | 1.69mJ (on), 630µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 102nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/87ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34.6ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 210A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 50A Leistung - max 625W Schaltenergie 3mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/133ns Testbedingung 600V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 195ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
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