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FGA30N120FTDTU Datenblatt

FGA30N120FTDTU Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FGA30N120FTDTU
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FGA30N120FTDTU

ON Semiconductor

FGA30N120FTDTU

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

339W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

208nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

730ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN