APT150GN60B2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT150GN60B2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT150GN60B2G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 860 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 17 - Jun 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APT150GN60B2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT150GN60B2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT150GN60B2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 220A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 450A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| Leistung - max | 536W |
| Schaltenergie | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 970nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 44ns/430ns |
| Testbedingung | 400V, 150A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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