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APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Nur als Referenz

Teilenummer APT150GN60B2G
PNEDA Teilenummer APT150GN60B2G
Beschreibung IGBT 600V 220A 536W SOT227
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $193,4126
50 ---------- $184,3464
100 ---------- $175,2802
200 ---------- $166,2140
400 ---------- $158,6588
500 ---------- $151,1036
Auf Lager 860
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Voraussichtliche Lieferung Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT150GN60B2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT150GN60B2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT150GN60B2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)220A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)450A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 150A
Leistung - max536W
Schaltenergie8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge970nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.44ns/430ns
Testbedingung400V, 150A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

475µJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

NGD18N40CLBT4G

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

IXGH31N60

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 31A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/400ns

Testbedingung

480V, 31A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRGB4B60KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

130µJ (on), 83µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

740µJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/330ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AA

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