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IXER60N120

IXER60N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXER60N120
PNEDA Teilenummer IXER60N120
Beschreibung IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.966
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IXER60N120 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXER60N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXER60N120, IXER60N120 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 262,69 KB)
PDFIXER60N120 Datenblatt Cover
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IXER60N120 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)95A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 60A
Leistung - max375W
Schaltenergie7.2mJ (on), 4.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge350nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 60A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

17µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/55ns

Testbedingung

300V, 8A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-83

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

1.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

Leistung - max

395W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

164nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/144ns

Testbedingung

400V, 75A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRGP4262D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

520µJ (on), 240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/73ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

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Hersteller

ON Semiconductor

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IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

238W

Schaltenergie

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Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17.6ns/94.4ns

Testbedingung

400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-247-3

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