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IXER60N120

IXER60N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXER60N120
PNEDA Teilenummer IXER60N120
Beschreibung IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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IXER60N120 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXER60N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXER60N120, IXER60N120 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 262,69 KB)
PDFIXER60N120 Datenblatt Cover
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IXER60N120 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)95A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 60A
Leistung - max375W
Schaltenergie7.2mJ (on), 4.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge350nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 60A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

238W

Schaltenergie

131µJ (on), 96µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17.6ns/94.4ns

Testbedingung

400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGWT30V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

258W

Schaltenergie

383µJ (on), 233µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

163nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/189ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

9.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/450ns

Testbedingung

960V, 25A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

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Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

Renesas Electronics America

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

52W

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

300V, 8A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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