Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJH60V1BDPE-00#J3

RJH60V1BDPE-00#J3

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60V1BDPE-00#J3
PNEDA Teilenummer RJH60V1BDPE-00-J3
Beschreibung IGBT 600V 16A 52W LDPAK
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.304
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RJH60V1BDPE-00#J3 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60V1BDPE-00#J3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH60V1BDPE-00#J3, RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 102,51 KB)
PDFRJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt Cover
RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt Seite 2 RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt Seite 3 RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt Seite 4 RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt Seite 5 RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt Seite 6 RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt Seite 7 RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt Seite 8 RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt Seite 9 RJH60V1BDPE-00#J3 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RJH60V1BDPE-00#J3 Datasheet
  • where to find RJH60V1BDPE-00#J3
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America RJH60V1BDPE-00#J3
  • RJH60V1BDPE-00#J3 PDF Datasheet
  • RJH60V1BDPE-00#J3 Stock

  • RJH60V1BDPE-00#J3 Pinout
  • Datasheet RJH60V1BDPE-00#J3
  • RJH60V1BDPE-00#J3 Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • RJH60V1BDPE-00#J3 Price
  • RJH60V1BDPE-00#J3 Distributor

RJH60V1BDPE-00#J3 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 8A
Leistung - max52W
Schaltenergie17µJ (on), 110µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/55ns
Testbedingung300V, 8A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-83
Lieferantengerätepaket4-LDPAK

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RJH60T04DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

208.3W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/136ns

Testbedingung

300V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

IRGB14C40LPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/6µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

RGT40TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

144W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/75ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

APT25GN120B2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

67A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

272W

Schaltenergie

2.15µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/280ns

Testbedingung

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/180ns

Testbedingung

1250V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.4µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Kürzlich verkauft

MAX3232EUE+T

MAX3232EUE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

25LC128-I/ST

25LC128-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8TSSOP

MT25QL128ABA1ESE-0SIT

MT25QL128ABA1ESE-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2

AT90S1200-4SC

AT90S1200-4SC

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1KB FLASH 20SOIC

ISD2360SYI

ISD2360SYI

Nuvoton Technology

IC VOICE REC/PLAY 64SEC 16SOP

BAT46WJ,115

BAT46WJ,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD323

MF-R050

MF-R050

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 500MA RADIAL

24LC01BT-I/OT

24LC01BT-I/OT

Microchip Technology

IC EEPROM 1K I2C 400KHZ SOT23-5

ADUM1400CRWZ

ADUM1400CRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

YC324-JK-075K1L

YC324-JK-075K1L

Yageo

RES ARRAY 4 RES 5.1K OHM 2012

IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

XCZU9EG-1FFVB1156I

XCZU9EG-1FFVB1156I

Xilinx

IC SOC CORTEX-A53 1156FCBGA