AFGHL50T65SQDC
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| Teilenummer | AFGHL50T65SQDC |
| PNEDA Teilenummer | AFGHL50T65SQDC |
| Beschreibung | IGBT 650V A |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.440 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AFGHL50T65SQDC Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AFGHL50T65SQDC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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AFGHL50T65SQDC Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 238W |
| Schaltenergie | 131µJ (on), 96µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 94nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17.6ns/94.4ns |
| Testbedingung | 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max 75W Schaltenergie 141µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/36ns Testbedingung 300V, 10A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 150W Schaltenergie 160µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/75ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 164A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 320A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 82A Leistung - max 1040W Schaltenergie 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 215nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/192ns Testbedingung 600V, 80A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 420ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket PLUS264™ |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 5A Leistung - max 65W Schaltenergie 31.8µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14.2ns/72ns Testbedingung 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 22ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 29A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 2.4V, 2.5A Leistung - max 29W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/650ns Testbedingung 300V, 2.5A, 51Ohm, 4V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
