IKW75N65ES5XKSA1
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| Teilenummer | IKW75N65ES5XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKW75N65ES5XKSA1 |
| Beschreibung | IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.340 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKW75N65ES5XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKW75N65ES5XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKW75N65ES5XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 395W |
| Schaltenergie | 2.4mJ (on), 950µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 164nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/144ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 18Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 15A Leistung - max 200W Schaltenergie 3.27mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 90ns/310ns Testbedingung 600V, 15A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 330ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 180A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 450A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 40A Leistung - max 390W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 169nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Leistung - max 535W Schaltenergie 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 311nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 118ns/282ns Testbedingung 600V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 256ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
