FGA15N120ANDTU
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| Teilenummer | FGA15N120ANDTU |
| PNEDA Teilenummer | FGA15N120ANDTU |
| Beschreibung | IGBT 1200V 24A 200W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.330 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGA15N120ANDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA15N120ANDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA15N120ANDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 24A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 3.27mJ (on), 600µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 120nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 90ns/310ns |
| Testbedingung | 600V, 15A, 20Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 330ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ 5 IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 30A Leistung - max 227W Schaltenergie 470µJ (on), 1.35mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 168nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/308ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 15A Leistung - max 200W Schaltenergie 700µJ (on), 550µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 92nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/240ns Testbedingung 600V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 340ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-41 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 267W Schaltenergie 1.16MJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 36nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/35ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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