FGY75T95LQDT
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| Teilenummer | FGY75T95LQDT |
| PNEDA Teilenummer | FGY75T95LQDT |
| Beschreibung | IGBT 950V 75A |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.034 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGY75T95LQDT Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGY75T95LQDT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGY75T95LQDT Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 950V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.69V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 453W |
| Schaltenergie | 2mJ (on), 1.8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 663.3nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 52ns/496ns |
| Testbedingung | 600V, 37.5A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 259ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 710µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 54ns/110ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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