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FGH40T120SMD

FGH40T120SMD

Nur als Referenz

Teilenummer FGH40T120SMD
PNEDA Teilenummer FGH40T120SMD
Beschreibung IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 15.152
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGH40T120SMD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH40T120SMD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH40T120SMD, FGH40T120SMD Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 591,53 KB)
PDFFGH40T120SMD Datenblatt Cover
FGH40T120SMD Datenblatt Seite 2 FGH40T120SMD Datenblatt Seite 3 FGH40T120SMD Datenblatt Seite 4 FGH40T120SMD Datenblatt Seite 5 FGH40T120SMD Datenblatt Seite 6 FGH40T120SMD Datenblatt Seite 7 FGH40T120SMD Datenblatt Seite 8 FGH40T120SMD Datenblatt Seite 9 FGH40T120SMD Datenblatt Seite 10

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FGH40T120SMD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
Leistung - max555W
Schaltenergie2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge370nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/475ns
Testbedingung600V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)65ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

115A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 24A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

550µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/97ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

ISL9V5045S3S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

480V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

51A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/10.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

STGW38IH130D

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

63A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

125A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

3.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

127nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/284ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A

Leistung - max

460W

Schaltenergie

230µJ (on), 520µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

162nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/105ns

Testbedingung

200V, 50A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

RGT30NS65DGTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

133W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS (TO-263S)

Kürzlich verkauft

AD8032ARMZ

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Analog Devices

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C5750X7S2A106K230KE

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TDK

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MF-MSMF075-2

MF-MSMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 750MA 1812

MIC5235-3.3YM5-TR

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Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

AD5934YRSZ

AD5934YRSZ

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IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

STM32F103C8T7

STM32F103C8T7

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IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48LQFP

XC7VX330T-2FFG1761I

XC7VX330T-2FFG1761I

Xilinx

IC FPGA 700 I/O 1761FCBGA

MMBT5551LT1G

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ON Semiconductor

TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

XC7Z045-2FFG676I

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Xilinx

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0217002.MXP

0217002.MXP

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FUSE GLASS 2A 250VAC 5X20MM

AD5664ARMZ

AD5664ARMZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 10MSOP

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A6B595KLWTR-T

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IC PWR DRVR 8BIT ADDRESS 20SOIC